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公司联合攻关的“高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化”项目获得2019年度“国家科技进步一等奖”，该项目属于第三代半导体技术领域，其技术成果推动了我国半导体照明产业从无到有、从弱到强的发展，引领我国传统照明向半导体照明产业技术进步与转型，形成了全球最大的LED照明产品生产基地，打造了外延芯片与国际并跑、应用产品领跑的产业新格局，使半导体照明成为我国少数具有国际竞争力的高科技领域。
公司2024年1月23日互动公司在碳化硅领域积极布局，除了碳化硅研磨设备，目前公司在碳化硅领域的产品还有碳化硅刀轮切割、碳化硅激光表面切割设备、碳化硅激光隐切设备等，上述设备正在客户处验证。
2020年11月20日互动平台回复公司目前已经有量产第三代半导体的产品。
根据2024年3月4日互动易，公司大力发展以SiC、GaN为代表的第三代半导体，SiC方面，未来，公司将具备芯片自主设计、封测能力，实现SiCSBD系列产品自制，同时开展SiCVDMOS系列产品的设计开发工作，形成SiCVDMOS设计能力。
2021年7月13日互动易回复公司积极研究储备第三代半导体应用技术，目前已有使用第三代半导体技术的充电器产品。
公司通过收购从事第三代半导体产品的企业进入第三代半导体材料行业。公司出资约人民币7·79亿元，参与了在安徽长江产权交易所公开挂牌的《芜湖太赫兹工程中心有限公司与芜湖启迪半导体有限公司合并重组整体交易方案》，中标了芜湖启迪半导体有限公司及芜湖太赫兹工程中心有限公司收购交易，涉足第三代半导体行业。芜湖太赫兹工程中心有限公司与芜湖启迪半导体有限公司主要从事以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体产品的工艺研发和代工制造，具备从半导体材料外延生产、芯片和器件制造到模块封装测试的专业化代工生产能力和技术研发能力，产品将主要应用于新能源汽车等领域。
公司参股的苏州锴威特半导体股份有限公司从事第三代半导体产品的研发与生产。
2024年半年报公司该业务主要包括光伏设备和半导体设备的研发、生产和销售。光伏设备主要用于生产光伏硅棒和硅片，包括单晶硅生长炉、金刚线开方机、金刚线切片机等。半导体设备主要用于生产半导体相关材料，包括区熔单晶硅炉、碳化硅晶体生长设备、金刚石生长炉等。
根据公司招股说明书公司积极开展SiC、GaN等第三代宽禁带半导体器件的应用研究及相应的电力电子拓扑优化，并已实现了SiC半导体器件在产品中的量产应用。
成都亚光子公司华光瑞芯主营产品为GaN‖GaAs功率放大器芯片、GaN高功率功放管芯、低噪声放大器芯片、幅相控制多功能芯片（Core-Chip）、数控移相器、数控衰减器、混频器等射频微波芯片。
公司主营业务为微波毫米波模拟相控阵T‖R芯片的研发、生产、销售和技术服务，主要向市场提供基于GaN、GaAs和硅基工艺的系列化产品等，公司主要客户为科研院所等大型集团公司等。
公司子公司新余华腾投资出资2500万元参与比亚迪半导体的股权投资，有利于实现公司核心原材料如IGBT模块及晶圆、SiC模块及晶圆等关键技术领域的战略延伸，以及公司电动汽车电机控制器及相关产品的技术推动和产业布局。
2024年4月24日公告，公司是全球最大的SiC（碳化硅）产品生产商Wolfspeed的主要代理商；在客户方面，公司与比亚迪（新能源汽车）、阳光电源（光伏、储能等）、锦浪科技（光伏）、首航新能源（光伏、储能等）、固德威（光伏、储能等）、欣锐科技（车载电源产品等）、爱士惟（光伏）等新能源行业众多头部客户长期合作，为其提供供货、应用方案研发、产品技术支持的整体解决方案及一体化服务。
根据公司2022年年报披露化合物半导体材料锑化镓（GaSb）、锑化铟（InSb）、碲锌镉（CdZnTe）初步产能建设完成，GaSb单晶实现低位错大尺寸产品研发，已给部分客户送样验证，并接到小批量订单。
公司拟与北京创镓半导体材料科技合伙企业（有限合伙）共同出资设立观想新芯材料科技有限公司，观想新芯注册资本为10000万元人民币，其中公司拟占股51%，北京创镓拟占股49%。控股子公司将充分利用公司在装备全寿命周期健康管理、装备数字孪生及高性能传感器综合集成应用等新一代信息技术的优势，以及北京创镓在第三代半导体材料相关设备研制、工艺研发和检验检测等先进技术整合能力，共同实现第三代半导体材料的自主可控。
公司9月7日互动易回复公司研发推出的半导体封装回流焊、甲酸真空炉等设备已应用于第三代半导体制程，如IGBT功率器件等。
21年5月13日公告，公司将与深圳镓华微电子有限公司及其创始人CHARLESCHUNLILIU先生签署《投资意向书》，公司拟以9000万元投资额增资入股深圳镓华，增资完成后将持有深圳镓华11·25%的股权。深圳镓华拥有完整的硅衬底GaN功率器件相关的知识产权和技术，目前已经成功流出650V‖900V‖1200V硅衬底GaN功率器件工程芯片，各项静态‖动态‖电路参数测试结果优异，相关技术成果国内外领先。
2023年2月10日互动易公司全资子公司东莞安晟半导体技术有限公司（曾用名广州安晟半导体技术有限公司）基于硅、砷化镓、磷化铟、碳化硅及氮化镓技术的半导体设计、制造、封装和测试能力，提供满足通信、物联网等应用需求的高性能射频、毫米波和光通信产品，拥有标准化芯片后端加工及封装测试产品线，能为客户提供短交期、低成本、高可靠性的优质产品。
公司作为数控磨削设备的专业提供商，有可用于以碳化硅为代表的半导体材料加工的磨削和研磨抛光设备，主要应用在半导体材料的磨削和抛光等工序。
公司为可生产第三代半导体GaN材料的金属有机物化学气相沉积设备提供核心材料和部件。
在第三代半导体领域，公司牵头筹建了广东省宽禁带半导体材料及器件创新中心参股公司南方半导体主要承担国家第三代半导体产业南方基地、广东省第三代半导体材料及器件制造业创新中心建设任务；公司承担了2019年广东省科技厅第三代半导体重大专项中SiC功率器件应用技术研发及产业化课题，公司目前所做的是将第三代半导体氮化镓、碳化硅功率器件的应用，逐步对现有产品的功率器件进行替代升级。
2020年7月22日公司在互动平台称公司主要从事碳化硅芯片器件及封装环节，不涉及材料领域。目前可批量供应650V、1200V碳化硅SBD、JBS器件。
2020年10月27日公告披露英唐微技术生产线改造完成后还将兼备以SIC-SBD为主的第三代半导体功率器件的生产，并在持续升级设备和工艺后，逐渐拓展至其他的第三代半导体产品。
晶方产业基金与以色列VisICTechnologiesLtd·签订了投资协议，晶方产业基金拟出资1000万美金投资Visic公司，交易完成后晶方产业基金将持有VisIC公司7·94%的股权。VisIC公司成立于2010年，总部位于以色列NessZiona，是第三代半导体领域GaN（氮化镓）器件的全球领先者，团队拥有深厚的氮化镓技术知识和数十年的产品经验基础。
2020年4月，公司全资子公司微芯科技投资设立控股子公司海创微芯，主要从事氮化镓（GaN）器件的设计、开发，目的在于积极布局并把握第三代半导体产业的发展机遇，聚焦相关器件在5G通信、物联网、航空电子等领域的应用，与公司控股子公司聚能创芯优势互补并全面协作，提高综合竞争实力。
根据2023年3月14日互动易，目前公司通过持有安徽微芯长江半导体材料有限公司3·3708%的股份，布局碳化硅业务
2023年5月11日互动易公司显示用光刻胶、半导体用光刻胶为公司近年推出的新产品，其销售额目前占公司总销售额的比例还较小。
2023年11月27日互动易本公司主营业务不包含半导体业务，公司参股企业江苏能华微电子科技发展有限公司主营业务为设计、生产和销售以氮化镓（GaN）为代表的化合物半导体高性能晶圆、器件。
公司积极布局以SiC和GaN为代表的第三代半导体器件技术，逐步具备向客户提供整体解决方案的能力。
2023年年报公司与上游芯片原厂安森美半导体建立的碳化硅应用联合实验室一直专注于第三代半导体碳化硅功率器件及其应用方案、产品的应用、测试、开发，将上游芯片原厂技术与下游客户需求相结合，加快半导体产业链中的信息和技术传导。
海威华芯6吋第二代第三代半导体集成电路芯片生产线项目砷化镓、氮化镓半导体芯片生产线竣工环境保护自主验收工作已完成。
根据2024年8月20日互动易，万业企业与国家第三代半导体技术创新中心（苏州）签署《协同创新发展全面战略合作协议》。国家第三代半导体技术创新中心（苏州）由江苏第三代半导体研究院有限公司承建，致力于第三代半导体技术的研发与产业化。此次合作，双方将共建国家第三代半导体创新中心先进化合物半导体器件制造中心与第三代半导体工艺技术开发平台，主要围绕先进半导体设备和工艺关键技术，攻坚关键工艺节点核心工艺技术问题，并开展关键工艺技术开发，共同推动第三代半导体芯片制程量产关键设备国产化、标准化。
公司与深圳第三代半导体研究院的合作是全方位多层次的深度合作，在该平台上研发的技术包括但不仅限于氮化镓和Micro-LED。
公司将加大在第三代半导体领域投资，大力发展氮化镓和碳化硅技术。目前安世氮化镓功率器件已经通过车规级认证，开始向客户供货，碳化硅技术研发也进展顺利。
2022年9月23日互动易回复公司应用于第三代半导体的SiC晶锭激光切片机、SiC超薄晶圆激光切片机正在客户处做量产验证。
公司与中科院电子研究所、西安电子科大合作研发的是以Sic、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，具有耐高压、耐高温、高速和高效等优点，可大幅降低电能变换中的能量损失，大幅减小和减轻电力电子变换装置。
公司电源适配器类的系列产品适用于多款电子产品，其中氮化镓技术产品PD65W快充电源适配器已经开始批量生产；公司规划了一系列氮化镓技术产品，后续会陆续推出更多的产品应用到相关领域。
布局三代半导体碳化硅产业布局三代半导体碳化硅产业随着新能源汽车，充电基础设施，5G基站，工业和能源等应用领域下游需求的爆发增长，未来SiC器件的市场规模成倍扩大，碳化硅材料市场供应将持续增加。公司积极布局第三代半导体碳化硅新材料产业，2020年公司参与北京天科合达半导体股份有限公司增资扩股，并在2021年持续加大了投资力度，目前公司已持有北京天科合达半导体股份有限公司9·5953%的股份，成为该公司第二大股东。
2023年4月21日互动易回复公司第三代半导体主要布局SiC领域，主要布局产品包括激光退火、晶圆激光隐形切割、SIC衬底缺陷检测等装备。
根据2023年3月10日互动易，子公司中宁硅业在进行第三代半导体所用高纯碳化硅粉的研发
2023年7月10日互动易回复公司对高端数控机床持续研发创新，于去年推出半导体领域内的碳化硅设备系列产品—碳化硅切片机设备和碳化硅边缘倒角机设备，并获得了主流碳化硅企业的批量订单。
2024年10月22日互动易回复，氮化铝因具备高热导率（氧化铝陶瓷材料的7-10倍）、热膨胀系数与Si匹配度高、高强度、高体积电阻率、高绝缘耐压、化学稳定性等特性，是国内外公认的第三代半导体关键材料和电子器件的先进封装材料。随着第三代半导体技术的快速发展，市场对散热效率提升和功耗降低的需求愈加凸显；氮化铝材料凭借其出色的导热和散热性能，其应用范围不断扩大。目前，我司已具备氮化铝粉体年产300吨的生产能力，产品性能和量产规模均达国内领先水平。
高光效长寿命半导体照明关键技术产业化属于第三代半导体项目，首次提出缺陷共振态p型掺杂方法、基于复合纳米图形化蓝宝石衬底的GaN外延成核技术等第三代半导体关键技术。项目由中科院半导体研究所牵头，洲明为该项科研成果应用端最核心的研发企业之一。
氮化镓为第三代半导体主要材料之一，目前公司使用的氮化镓技术属于第三代半导体应用技术，主要应用于公司电源适配器产品中。
公司可以提供第三代半导体相关设备，其中碳化硅方面，可以提供长晶炉、外延炉、刻蚀、高温退火、氧化、PVD、清洗机等设备，氮化镓方面可以提供刻蚀、PECVD、清洗机等设备。
公司近年来推出QT-4000系列功率器件综合测试平台，该系列产品已规模运用于第三代半导体，如GaN、SiC产品领域。
招股说明书披露公司将通过首次公开发行股票募集资金建立具有小批量一定中试能力的碳化硅基器件研发实验中心，以满足新产品的研发和中试供应市场。
2023年10月4日互动易三晶第三代半导体精密装备及材料产业化项目，是公司在目前既有的在研半导体制造设备和半导体耗材产品的基础上，在政策支持、市场拉动及资本推动等因素作用下，把用于碳化硅等第三代半导体加工的精密装备及材料做大做强，打破美、日、韩等国家的垄断，加速进口替代，实现国内半导体行业自主可控，为国内半导体生产厂家解决“卡脖子”技术难题。是公司的资源整合和半导体相关产品中长期的产业发展规划。
公司已经具备第三代半导体封测能力，并且有展开相关业务。
2023年年报公司全资子公司合肥高纳半导体科技有限责任公司主要从事第三代半导体SiC单晶生长和设备研发、SiC衬底加工、SiC外延生产销售。
在碳化硅材料方面，公司已成功生长出行业领先的8英寸碳化硅晶体，并建设了6英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光环节的研发实验线，实验线产品已通过下游部分客户验证，公司将持续加强技术创新和工艺积累，实现大尺寸碳化硅晶体生长和加工技术的自主可控，进一步提升公司在第三代半导体材料端的竞争力。
2020年12月公告披露公司拟在嘉兴斯达半导体股份有限公司现有厂区内，投资建设全碳化硅功率模组产业化项目，本项目计划总投资22947万元，投资建设年产8万颗车规级全碳化硅功率模组生产线和研发测试中心。
公司已建成6英寸的硅基氮化镓集成电路芯片生产线，涵盖材料生长、器件研发、GaN电路研发、封装、系统应用的全技术链。
21年6月7日互动平台回复，碳化硅是第三代半导体的主要材料，本次向不特定对象发行可转债募集资金用于“碳化硅单晶研发项目”。通过该项目，加强公司在碳化硅方面的基础研究和新工艺、新产品的研究开发能力，为未来碳化硅领域科技成果转化打好基础，培育人才及技术力量，为公司未来升级现有产品、提高服务客户能力奠定良好的基础。
2023年4月14日公告，公司于2021年下半年以自有资金对埃延半导体增资扩股，持有埃延半导体51%的股权，投资金额共计人民币1·07亿元。埃延半导体的致力于大硅片及第三代半导体材料衬底外延设备的生产制造以及衬底材料的研发，目前的主要产品是研发和量产外延片所需的生产设备。
公司已具备SIC，GaN第三代半导体的封装和测试能力。目前已面向光伏和充电桩行业进行出货第三代半导体产品。
2021年6月30日回复称公司持有中电鹏程35%股权中电鹏程已研发出第三代半导体晶圆划片机。
公司积极布局IGBT、固态脉冲开关及第三代半导体等前沿领域。
2023年9月5日互动易公司立足先进配方化材料技术平台，不断促进关键半导体电子材料的国产替代，目前针对LED‖IC芯片封装有DECA200、DECA400系列高性能固晶粘接导电银浆，针对第三代半导体芯片封装有DECA600系列烧结银浆产品，针对半导体陶瓷覆铜板互联有DK1200系列AMB活性金属钎焊浆料。
2023年11月2日互动易碳化硅是第三代半导体材料代表之一，碳化硅是一种高性能的磨料，具有高硬度、高强度、高耐磨性、高耐腐蚀性、高热稳定性等特点，其材料加工难度大，制作成本高。近年来，公司加大对碳化硅切、磨、抛关键技术的攻克，设备的精度已经达到行业一流水平，公司生产的碳化硅切割、研磨、抛光设备主要用于加工单晶碳化硅抛光片，N型导电型碳化硅抛光片是制作功率芯片的核心材料，在新能源汽车、光伏逆变器、充电桩等产品上有广阔的应用前景，目前公司生产的碳化硅切、磨、抛设备已实现批量销售。
在保持公司在LED领域的领先地位和竞争力的同时，公司持续加大产品研发投入和技术创新，积极布局第三代半导体材料与器件领域，发力GaN基电力电子器件领域。
2024年4月30日互动易公司积极布局半导体装备领域，公司用于集成电路的专用湿法工艺设备持续获得下游客户批量订单及重复订单，带来近年订单的快速增长。同时，公司用于第三代半导体的碳化硅高温热处理工艺设备顺利发货到国内半导体IDM头部企业。
2024年5月29日互动易回复公司参股子公司领航电子主要业务为衬底（如硅晶圆、碳化硅、氮化镓等）和芯片制造工艺中的CMP抛光液，而前述业务中的碳化硅、氮化镓属于目前第三代（宽禁带）半导体的衬底材料。
2023年9月20日互动易公司控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司化合物半导体材料产品砷化镓晶片（衬底）、磷化铟晶片（衬底）均已批量生产，并已向国内外多家客户供货。截至目前鑫耀公司砷化镓晶片产能为80万片‖年（2—4英寸），磷化铟晶片产能为15万片‖年（2—4英寸）。
2020年9月8日互动平台回复公司旗下控股子公司兆驰半导体专业从事LED外延片及芯片（即氮化镓半导体芯片）的研发生产和销售，公司拥有蓝绿光和红黄光芯片，可以用于LED照明、LED背光和LED显示三大应用领域，以及医用、红外探测等细分领域。
公司积极开展对SiC等宽禁带半导体功率器件的研究探索，1200VSICMOSFET平台相关产品正在开发中，目前预计2022年四季度会有相关产品推出。
2023年6月16日公告公司培育面向半导体行业的产品业务，实现收入约783·60万元，产品以碳化硅退火制程的激光器为主，亦有少量应用在硅基半导体检测等关键制程的紫外和深紫外等激光器，客户以国外知名半导体装备公司为主。
公司子公司凯成半导体从事碳化硅晶体材料的生产研发，子公司天通吉成可生产碳化硅生产设备，孙公司天通日进生产后道研磨抛设备，相关设备优先配套公司内部使用。
公司参股的Saphlux有三代半导体相关技术储备，拥有多个半极性GaN发明专利，是目前国际上唯一能够商业化半极性GaN材料的公司。
2023年8月11日互动易回复公司掌握包括氮化镓在内第三半导体材料的封装技术。
根据公司官网显示，公司产品有IGBT‖SiC激光退火设备。
根据2022年9月16日互动易，公司技术团队结合第三代半导体的发展成果研制的新型相控阵产品，在小型化和高功率密度方面取得一定的突破
公司2024年1月16日互动在半导体专用设备领域，公司已在半导体相关覆膜设备方面研发出了碳化硅基晶圆附膜设备，此制程为晶圆减薄前附膜，并且得到了客户的认可。
2024年6月11日互动易回复公司在电子材料领域代理销售的产品主要有显示模组及组件、摄像头模组、通讯模块、SOC芯片、三代半导体SiCMOS、驱动芯片、偏光片等。
公司持有8%股权的瞻芯电子是一家致力于碳化硅功率器件与配套芯片的产业化的高科技公司，目前已经完成了国内第一个基于6英寸碳化硅晶圆的SiCMOSFET和SBD工艺平台开发。
公司参股的浙江晶睿电子科技有限公司主营业务为6、8、12英寸高性能硅外延片的研发、制造和销售，并同时开展硅基GaN和SiC外延的研发和小批量生产。
2020年半年报披露公司将与合肥市长丰县人民政府在合肥市长丰县共同投资建设第三代功率半导体（碳化硅）产业园，包括但不限于碳化硅等第三代半导体的研发及产业化项目，包括碳化硅晶体生长、衬底制作、外延生长等的研发生产，项目投资总规模预计100亿元。
2022年1月28日晚公告，公司拟向中国电科十三所发行股份购买其持有的氮化镓通信基站射频芯片业务资产及负债；拟向中国电科十三所、慧博芯盛、慧博芯业发行股份购买其合计持有的博威公司100%股权；拟向中国电科十三所、数字之光、智芯互联、电科投资、首都科发、顺义科创、国联之芯、国投天津发行股份购买其合计持有的国联万众100%股权。发行价格为64·63元‖股。公司将新增氮化镓通信基站射频芯片与器件、碳化硅功率芯片及其应用业务。
公司有氮化镓方面的技术储备，已自主研发出快充氮化镓产品，能够为客户提供ODM制造服务。公司已经在网站上发布的快充最大功率为112W，更大功率的快充产品在研发和测试中。
2024年1月6日互动易回复公司的参股公司宁波芯丰精密科技有限公司主要研发、生产超精密半导体芯片制造设备及相关耗材，其产品主要应用于三维堆叠、AI人工智能、第三代半导体和先进封装等高端半导体制造工艺环节。
公司2023年半年报在半导体材料领域，公司产品主要应用于上游材料行业，如电子级多晶硅、半导体用单晶硅、碳化硅晶体、LED用蓝宝石、LED外延片等生产设备。
根据2024年5月20日互动易，2023年，公司控股子公司国星光电完成GaN基功率器件外延片的产品开发；全面发力第三代半导体封测技术，推出低杂感SiC封装系列产品、集成化GaN-IC产品，其中SiC-SBD产品已获AEC-Q101车规级认证；集成电路封测产品进入车用模拟、户外储能等新型应用领域。
近期公司推出3大系列第三代半导体新产品，包括SiC功率器件、功率模块和GaN-DFN器件。目前公司完成三代半功率器件实验室及功率器件试产线的建立工作，计划2021年底实现小规模量产。
公司湖南三安投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链。
公司在第三代半导体加工领域推出了用于减薄、抛光、切割等方面的产品。
目前公司金刚石线产品在国内外第三代半导体企业已有一定的销售且正在稳定增长，岱勒品牌的半导体硅晶圆切割专用金刚线已在国内外批量供应。
2024年3月26日互动易回复公司针对新型半导体的检测需求和设备国产化趋势，推出了第三代半导体2-8寸晶圆的显微测试系统，其采用Raman和荧光成像原理，以自动聚焦和软件判定为依托，对第三代半导体的应力，载流子浓度、杂质、翘曲度、反射率、膜厚等各种指标进行光学检测，目前已有客户在进行测试试用。
2022年半年报公司聚焦高压超结产品主力产品，持续推动产品技术升级，完成Gen3系列化，并推出N系列的Multi-EPI新品；同时，加快第三代半导体布局，GaNHEMT和SiCMOSFET产品的开发工作有序开展。
2023年1月30日互动易回复公司所生产的碳化硅产品可对外批量供货。
2020年7月15日互动平台回复公司目前产品涉及氮化镓的研发和生产，外延片的技术就是研发氮化镓材料的生长技术，芯片的技术就是研发氮化镓芯片的制作技术。
根据2023年4月6日互动易显示，公司通过子公司布局了第三代半导体碳化硅产业的研发与制造，碳化硅材料具有高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射能力等特点，适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，有利于能源的高效率转化。目前2万片宽禁带半导体碳化硅衬底及外延片产业化生产线项目已通过验收，实现量产。
第三代半导体领域的碳化硅单晶是国家卡脖子关键材料，顶立科技主要围绕“四高两涂”的技术和产品进行研发，即碳化硅单晶、高纯碳粉、高纯碳化硅专用高纯热场、高纯石墨、碳化硅涂层、碳化钽涂层。目前公司已掌握了将5N及以下的C粉提纯到6N及以上的技术，研制开发的高纯碳粉、高纯碳化硅专用高纯热场、高纯石墨、碳化硅涂层、碳化钽涂层性能指标达到国际领先水平，可为碳化硅单晶生产企业提供高纯原料及耗材的配套。
据公司官网飞凯材料始终致力于为高科技制造提供优质材料。在EMC产品板块，飞凯材料通过子公司昆山兴凯不断布局高功率用环氧塑封料，并在各领域形成了良好的品牌效应。目前拥有昆山和安庆两个生产基地。在光伏领域，公司已成为国内较大尺寸光伏模块用EMC供应商；在智能模块领域，飞凯材料也是国内知名汽车品牌的少数本土化EMC材料供应商之一；在第三代半导体功率模块方面，公司正积极布局并同国内知名设计公司合作，在碳化硅方面已有量产出货，同时在高端功率器件用EMC方面取得了重大突破，极大的填补了行业空白。
在第三代半导体GaN（氮化镓）快充领域，公司目前有可搭配GaN的中高功率（≥65W）主控芯片、PD协议芯片等产品。公司的相关芯片NF7307，具备更高集成度（集成启动电阻&X电容放电），更出色的性能（优良的Qr特性，更低待机功耗）及更高可靠性（全面的保护机制），已经上市。产品规格可对标安森美等海外厂商产品，具备较高的性价比优势。目前，公司相关产品目前已导入M客户和公牛等知名厂商的供应链，市场拓展稳步推进。